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1400
1200
Common Emitter
V GE = 0V, f = 1MHz
T C = 25 ℃
Common Emitter
V CC = 300V, V GE = ± 15V
I C = 10A
1000
T C = 25 ℃ ━━
T C = 125 ℃ ------
Ton
800
Cies
100
Tr
600
400
Coes
200
Cres
0
10
1
10
10
100
Collector - Emitter Voltage, V CE [V]
Fig 7. Capacitance Characteristics
Gate Resistance, R G [ ? ]
Fig 8. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
1000
Common Emitter
Common Emitter
V CC = 300V, V GE = ± 15V
I C = 10A
T C = 25 ℃ ━━
T C = 125 ℃ ------
Toff
Toff
Tf
1000
V CC = 300V, V GE = ± 15V
I C = 10A
T C = 25 ℃ ━━
T C = 125 ℃ ------
Eoff
Eon
Eoff
Tf
100
100
10
100
10
100
Gate Resistance, R G [ ? ]
Fig 9. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance, R G [ ? ]
Fig 10. Switching Loss vs. Gate Resistance
Gate Resistance
1000
100
Common Emitter
V GE = ± 15V, R G = 20 ?
T C = 25 ℃ ━━
T C = 125 ℃ ------
Ton
Common Emitter
V GE = ± 15V, R G = 20 ?
T C = 25 ℃ ━━
T C = 125 ℃ ------
Toff
Tr
Tf
Toff
Tf
100
10
6
8
10
12
14
16
18
20
6
8
10
12
14
16
18
20
Collector Current, I C [A]
Fig 11. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
Collector Current, I C [A]
Fig 12. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
?1999 Fairchild Semiconductor Corporation
SGP10N60RUFD Rev. C2
4
www.fairchildsemi.com
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